安普(陕西)抛光材料生产厂家

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西安封釉抛光液价格,专业研发,值得信赖

2021-09-15 02:54:01  722次浏览 次浏览
价 格:面议

这两个概念主要出半导体加工过程中,初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。

CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,平整性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是能够实现全局平面化的有效方法。

研磨液的添加量是根据水质和产生切削屑来决定的,水质硬切削量多,则研磨液的添加量应多些。由于离心式研磨机在相同的时间内切屑量多,所以研磨液的添加量应多些。研磨液少量滴入滚筒内被水搅匀后,在光整时会粘附在零件与磨料的表面,对金属表面氧化膜的化学作用,使其软化,易于从表面研磨除去,以提高研磨效率。

应用领域

1、 光通讯领域,配合公司专门为光纤连接器开发的抛光产品,能达到超精细抛光效果,抛光后连接器端面没有划伤和缺陷,3D指标和反射衰减指标达到国际标准。

2、 硬盘基片的抛光,SiO2磨料呈球形,具有粒度均匀、分散性好、平坦化效率高等优点。

3、 硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛,具有抛光速率高,抛光后易清洗,表面粗糙度低,能够得到总厚偏差(TTV)极小的质量表面。

4、其他领域的应用,如不锈钢、光学玻璃等领域,抛光后能达到良好的抛光效果

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